新一轮装备竞赛启幕：主流厂商竞争1γ DRAM和321层NAND技术

　　10月10日消息，尽管全球经济下行和高通胀等多重因素对闪存市场造成了挑战，但美光和三星等DRAM行业巨头依然积极备战1γ DRAM技术。

　　目前，全球最先进的DRAM工艺已经发展到第五代，美光将其称为1β DRAM，而三星则将其称为1b DRAM。去年10月，美光开始量产1β DRAM，但他们的研发目标是在2025年实现1γ DRAM的量产，这将意味着美光首次涉足极紫外(EUV)光刻技术领域。

　　与此同时，三星计划在2023年迈入1b DRAM工艺阶段，提高芯片容量从24Gb(3GB)到32Gb(4GB)，原生速度从6.4Gbps提升至7.2Gbps。

　　在NAND闪存领域，技术已经突破了200层堆叠的显著里程碑，存储制造商们不断追求更高的层数。SK海力士在今年8月9日的2023闪存峰会上展示了全球首款321层NAND闪存样品。与之前的238层512Gb NAND相比，这一创新提高了59%的效率。SK海力士计划进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始量产。

　　此外，美光还计划推出超越232层的产品，包括2YY、3XX和4XX等。Kioxia和西部数据也在积极探索300层、400层和500层以上的3D NAND技术。

　　此前有报道称，三星计划在2024年推出第九代3D NAND，预计将达到280层，随后在2025-2026年推出第十代，可能将层数提高至430层。他们的最终目标是在2030年实现1000层NAND闪存的生产。